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新的闪存技术有望实现更快、更密集的存储
西部数据推出96层3D NAND企业SSD，东芝推出新型SSD和超快XL-Flash芯片。
本周存储管理员有许多新的闪存技术要检查，包括高密度96层3D NAND存储驱动器，超快的XL-Flash芯片和高性能nvme存储设备的新小尺寸因素。
东芝的记忆美国开发了尺寸为14毫米× 18毫米× 1.4毫米的XFMExpress，尺寸介于相机SDHC卡和手机microSD卡之间，适用于笔记本电脑、游戏机、汽车、监控和物联网设备。
xfexpress是一种可移动存储技术，旨在使用户能够轻松更换或升级设备。它支持NVMe1.3和PCI Express(作为PCIe)3.0支持在四个通道上每秒高达4gb的带宽，未来的版本将支持8 GBps与PCIe 4.0东芝(Toshiba)表示。虽然xfexpress在今年的闪存峰会上展出，但东芝目前只是在展示它，仍在制定标准化计划，因此该技术短期内不会广泛应用。
更迫在眉睫闪存的选择东芝计划下个月开始取样的是单级单元(SLC) XL-Flash芯片，该芯片填补了传统NAND闪存和更昂贵的DRAM之间的性能差距，以及英特尔的Optane 3D XPoint技术。东芝低延迟公布XL-Flash在2018年闪存峰会上，三星曾讨论过类似产品SLC-based Z-NAND该公司表示，预计将在2020年大规模生产。
来自多个供应商的96层三层电池(TLC) 3D NAND固态硬盘(ssd)的广泛供应应该会更快。西部数据开始使用高密度闪存技术的第一个数据中心nvme ssd。西部数据数据中心设备产品营销高级主管埃迪•拉米雷斯(Eddie Ramirez)表示，Ultrastar DC SN640和SN340型号将在本季度进行取样，并在第四季度增加出货量。
Objective Analysis公司董事兼半导体分析师Jim Handy表示，96层3D NAND技术将有助于降低企业SSD客户的成本。
成本将会下降，因为你拥有的层越多，每千兆字节的成本就越低，而且闪存的数量将占用更少的数据中心空间，总体上消耗更少的电力。 吉姆很方便总董事，半导体分析师，目标分析
“成本将会下降，因为你拥有的层越多，每千兆字节的成本就越低，而且闪存的数量将占用更少的数据中心空间，总体上消耗更少的电力，”Handy说。
西部数据之前发布了超星DC SN630型号在存储系统和服务器中使用最流行的2.5英寸U.2格式64层3D NAND。通过96层的更新，该公司将支持两个额外的形式因子:一个长的、类似于统治者的企业和数据中心小形式因子(E1)。L，最大容量30.72 TB, 22mm × 110 mm，胶棍形M.2 SSD，最大容量3.84 TB。
超星DC SN640支持高达128NVMe名称空间使客户能够细分单个驱动器，并为单个虚拟机或应用程序工作负载提供指定的存储空间，Ramirez说。
SN640支持混合读写工作负载，如SQL Server、MySQL和hyper-converged基础设施。2.5英寸U2型号提供两种耐力选择:每天0.8驱动器写入(DWPD)，容量范围为960 GB至7.68 TB，容量范围为2.0 DWPD，存储范围为800gb至6.4 TB。m - 2和E1。L ssd支持0.8 DWPD。
Ramirez说:“我们看到了一个普遍的趋势，随着这些驱动器的容量越来越高，你不需要每天写那么多的驱动器。”“不仅仅是NVMe。我们在SAS中也看到了这种情况。用户一度使用了10个驱动器写操作。然后他们习惯了3个驱动器写入，然后是1个，现在我们也开始进入sub-one类别。”
西部数据的新超星SN340是严格为“非常读密集”的工作负载而设计的，在2.5英寸U.2格式中，它的0.3 DWPD容量为3.84 TB和7.68 TB。Ramirez说，SN340的目标是大块写的应用程序，包括内容传输网络、视频缓存和NoSQL数据库，大约90%的读和10%的写。
xfexpress、XL-Flash需求不确定
目前尚不清楚东芝新款xfexpress和XL-Flash芯片的需求水平。xfexpress的成功可能取决于东芝及其合作伙伴是否将该技术纳入标准委员会，如存储网络工业协会(SNIA)或联合电子设备工程委员会Forward Insights创始人兼首席分析师Greg Wong表示。
Gartner研究副总裁约瑟夫•昂斯沃思(Joseph Unsworth)表示，来自OEM客户的广泛行业支持将是东芝收购xfexpress的另一个关键障碍。
“要想获得大量用户，就需要许多PC原始设备制造商和其他移动设备制造商扩大规模，使成本具有竞争力。我不认为这种情况会在未来几年发生。”
东芝与日本航空电子合作进行硬件设计，联想在闪存峰会上进行演示。该公司SSD业务部门的产品线经理Grant Van Patten表示，该公司计划向更广泛的市场开放其xfexpress技术，并追求行业标准化。
“任何新形式都需要一段时间才能被采用，所以我们并不指望它能一夜成名。显然，我们必须致力于推广和标准化部分，这样才能在未来将这一技术应用到更多设备上。”“显然，这需要我们做大量工作，但我们认为这是值得的，因为我们正在解决的痛点。”
东芝的XL-Flash技术
东芝的XL-Flash旨在为企业提供一种更便宜、超低延迟的DRAM和英特尔Optane技术替代品。该公司声称，XL-Flash的128gb SLC芯片具有高可靠性，其16平面架构减少了延迟，4KB的页面大小有助于更高效的读写。据东芝表示，XL-Flash的读延迟可低至5微秒，性能可比现有TLC NAND快10倍。
东芝内存业务部门高级副总裁兼总经理Scott Nelson表示，最初的XL-Flash部署将以SSD的形式进行。但尼尔森表示，他可以预见未来XL-Flash在非易失性双内联内存模块在存储类内存层。
行业分析师预测，xsl - flash的市场可能仅限于小众用例。Gartner的Unsworth表示，XL-Flash可以作为一种更可靠、性能更高的缓存，或相对于TLC或TLC等质量较低的flash选择四级电池(QLC)与非．但昂斯沃思警告说，与TLC和QLC flash相比，XL-Flash的价格要高得多。
汉迪说，SLC芯片市场小，产量低，所以价格大约是TLC NAND闪存的20倍，接近DRAM。“这将缩小XL-Flash的市场，”Handy说。
