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企业闪存价格下跌超过2019年预测

根据行业高管和分析师的水晶球预测,2019年闪存买家将发现NAND价格下降和更多企业选择。

价格暴跌、高性能NVMe-oF技术的采用增加、超快新存储技术的出现成为2019年企业闪存预测的主要因素。

主要供应商和分析师表示企业闪存将是诱人的2019年NAND芯片供过于求价格以两位数的百分比下降。固态硬盘也变得更加密集,在高产量的三层细胞(TLC) 3D NAND闪存quad-level细胞(QLC)3D NAND即将问世。

NVMe-oF技术也准备在这方面留下自己的印记企业flash存储系统标准已经确定,市场上有端到端NVMe产品。一些专家预测,通过光纤通道(FC-NVMe)的NVMe可以看到今年更多的采用比基于ip的选项。

更快新的内存技术如英特尔(Intel)和美光(Micron)开发的3D XPoint、三星(Samsung)的Z-NAND和东芝(Toshiba)的XL-Flash等,也可能在今年开始进入企业存储系统,进一步提高应用程序的性能。

以下是2019年的样本对企业闪存的预测、NVMe技术和新兴存储类内存(SCM)选项。

企业闪存预测

唐·珍妮特,潮流焦点副总裁珍妮特不

唐·珍妮特,Trendfocus副总裁:NAND在今年上半年将继续处于供应过剩状态,可能会持续到下半年。那些想要储存NAND或ssd的客户肯定会看到在拆卸两位数的百分比与他们去年支付的价格相比。油价下跌时,美国就像狂野的西部。企业ssd定价从15美分到19美分或20美分每GB,而且还会继续下降。就在一年前,我们的价格是每GB 30到40美分,所以这是一年内的显著下降。

大卫·弗洛耶,维基邦的技术总监大卫·弗洛伊

大卫·弗洛耶,维基邦首席技术官:Flash将成为几乎所有生产系统的默认配置,并且将越来越多地成为长期存储的默认配置。随着NAND出货量的上升和价格的下降,这将减少供应商的一些利润。对他们来说,今年将是艰难的一年。

吉姆·汉迪,总董事,半导体分析师,客观分析吉姆很方便

Jim Handy,总经理兼半导体分析师,目标分析:NAND比过去更便宜,而动态RAM的成本即将急剧下降,目前的售价还不到2018年峰值的三分之一。这意味着内存/存储补充今年年初,中国的服务器(尤其是超大规模数据中心的服务器)将转向ssd,而不是内存,但到2019年底将转向DRAM。

2019年的QLC flash

安迪·沃尔斯,IBM员工,闪存技术总监安迪的墙壁

安迪·沃尔斯,IBM研究员,闪存技术总监:2019年,我们将看到flash侵入hdd仍然很强的区域。这将会发生,因为QLC闪光,它的TCO优势和它的巨大密度。QLC有一些属性可能会阻止它立即进入企业,但我们将看到它在不需要经常访问数据和不需要经常编写的应用程序中使用。我们会看到它在超标机和7200转的近线hdd以前的地区被大量使用。

克里斯·埃文斯,Brookend的导演克里斯•埃文斯

克里斯·埃文斯,Brookend导演:QLC闪存会毁掉硬盘——除了存档硬盘。在TCO的基础上,规模经济和QLC NAND产能的增加将使QLC比15K和10K纺丝介质更具成本效益。随着所有主要供应商进入市场,QLC驱动器容量将在2019年达到32tb至64tb。这将是最好的硬盘容量的两倍,目前最好的硬盘容量约为15tb。与旋转介质相比,采用新的形状因子设备和服务器重新设计,QLC将提供更高的密度、更大的功率和冷却效率。在数据预处理非常重要的边缘和物联网用例中,QLC flash将是一个强有力的竞争者。旋转速度在7.2K或更低的HDD将是HDD制造商的最后避难所。而改变QLC不会在2019年完成,这个过程将在明年的这个时候真正开始。

马克·斯泰默,屠龙咨询公司的总裁Marc立即

Marc Staimer, Dragon Slayer Consulting总裁:NVMe、SATA和SAS驱动器之间的存储分层将在今年卷土重来;TLC和QLC闪光;和供应链管理。您将拥有具有不同性能和磨损特性的各种ssd的存储系统,并且在存储系统内部分层要比在存储系统之间分层容易得多。您将拥有高性能驱动器和高容量、低性能驱动器,以及低磨损寿命或读优化驱动器。当数据冷却时,您希望将其从高性能、高磨损寿命的驱动器转移到性能较低、容量较高、磨损寿命较低的ssd硬盘。区分系统中不同类型的驱动器将变得非常重要。

珍妮特,Trendfocus:很多人都在谈论QLC NAND将在2019年进入市场,但我认为今年不会出现大量的情况,因为它需要进入应用程序。目前的TLC 3D NAND技术是有效的,而下一代QLC NAND不会像现在这样可靠或高性能。你可能会看到云供应商采用一些QLC,但更多的情况是他们试图让它工作。

NVMe-oF选项

Chadd Kenney,纯存储技术总监,产品和解决方案副总裁请你的肯尼

Chadd Kenney, Pure Storage首席技术官兼产品和解决方案副总裁:NVMe,特别是NVMe- of,已经取得了丰硕的成果,使应用程序更接近于存储和嵌入体系结构效率,降低了延迟,提高了并发性。我们相信通过融合以太网(RoCE)的RDMA将是最初的部署选项,因为DAS延迟可以在实现共享存储效率的同时实现。在DAS整合RoCE之后,FC-NVMe将使NVMe对传统企业应用程序的好处变得可用。通过TCP的NVMe会导致其他所有人。

埃文斯,Brookend:NVMe-oF对于存储网络来说很重要,但仅限于光纤通道。NVMe现在可以与最新的FC设备一起使用,因此企业客户迁移时几乎没有影响。这种风险规避将使FC-NVMe成为最终用户的首选协议,而不是使用以太网或InfiniBand上的NVMe来拆分和替换网络。在以太网/ Infiniband NVMe-oF将看到一些强大的利基用例,其中需要分解或超高性能。

斯科特·辛克莱,企业战略组高级分析师斯科特-辛克莱尔

Scott Sinclair,企业战略组高级分析师:NVMe-oF的采用今年将会加速,而且通过光纤通道的NVMe将比IP选项有更高的增长,因为部署的简单性。Fibre Channel供应商在将NVMe-oF功能集成到其现有产品线方面做得很好,该技术将在最小的破坏性影响下应用到IT环境中。虽然在IP方面存在创新,但也存在多种选择,这些考虑可能会导致一些犹豫。我是否想要进行RoCE并投资于新的主机总线适配器?我想要通过TCP做NVMe并等待支持吗?每一种都需要不同的部署模型。

NVMe-based ssd

Mike Heumann,管理合伙人,G2M Communications:2018年,nvme存储设备出货量超过了企业SAS、SATA存储设备出货量。在2019年,我们将看到基于nvme的U.2存储设备占所有2.5英寸闪存设备的50%企业市场.这对企业IT专业人员来说很重要,因为U.2驱动器是可热插拔的,可以直接访问,现在服务器oem和白盒/ODM服务器制造商的大多数服务器型号都支持U.2驱动器。

史蒂芬·希尔,451高级分析师Flash将发现越来越多超出性能范畴的用例。多年来,闪存over磁盘的成本使得它被降级为高性能应用程序。但NVMe,乃至NVMe- of,有可能以超出所有人预期的速度,从根本上改变价格/性能/密度模式。2018年,有几款基于“标尺”NVMe形式因子的产品,最终可以在单个机架单元中打包多达一个pb。这种密度为flash在二级应用中发挥作用打开了大门,比如大型媒体存储库和繁忙的数据湖,或者作为其他高性能存储系统的更快的数据保护层。

博通产品规划和战略经理Rick Kutcipal:高性能NVMe硬件RAID解决方案的可用性将加速企业部署向NVMe驱动器的过渡。目前NVMe硬件RAID很少的主要原因是,传统硬件RAID引擎成为了瓶颈,无法让硬盘发挥其性能潜力。包括针对固态存储的优化的更现代的RAID引擎开始减少这种影响,并且可以实现显著的RAID性能改进。

即将出现的存储技术

墙壁,IBM:我们将开始看到SCM部署在企业存储系统中,特别是在内存总线上。它还是会比flash贵很多,所以它会是外部存储中的一层用于缓存,特别是用于元数据。在复杂的存储系统、数据缩减和复杂的数据服务中,有大量的元数据。如果元数据位于DRAM或接近DRAM的位置,则可以提供更一致的响应时间。

蒂姆·斯塔莫斯,451高级分析师我们将继续听到关于SCM的讨论,但现实是只有一种具有广泛使用的潜力。这就是3D XPoint,由英特尔和美光联合开发,目前只用于英特尔的Optane产品。Optane产品尚未售出但Optane非易失性内存模块(nvdimm)的出现可能会改变这种情况。这些nvdimm只适用于英特尔的Cascade Lake处理器,这些处理器目前还不普遍。但当英特尔在2019年批量发布Cascade Lake时,这些Optane nvdimm的销量可能会比市场上现有的Optane NVMe驱动器好得多。

Greg Wong, Forward Insights首席分析师:预计低延迟存储(以英特尔的Optane SSD和三星的Z-SSD为代表)将在企业系统和数据中心获得进一步的吸引力。底层的内存技术——3D XPoint和Z-NAND——分别由英特尔、美光和三星独家开发。但我预计,与之竞争的3D XPoint和z - nand类似的技术将在2019年宣布或推出。

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