电子手册:

最新的存储技术

NVDIMM, PCM,内存技术的未来

随着闪存芯片的价格持续下跌,闪存将继续被采用作为存储。但存储并不是闪存的唯一用途,还有其他正在兴起的存储技术。

NAND闪存是一种非易失性存储器,这意味着当系统电源关闭时,存储器保存它使用的最后数据。当前用于主动计算的基于动态RAM (DRAM)的系统内存一旦断电就会丢失数据。

随着内存数据库系统的使用增加(数据保存在活动内存中以进行快速处理),开发人员和供应商必须找到方法确保在断电时数据仍能保留。非易失性内存:这种新兴的内存技术使用标准双内联内存模块卡中的NAND闪存芯片直接连接到系统内存插槽,而不是——或补充——基于DRAM的内存。

这解决了功率损耗问题,但也降低了系统性能。闪存在读写数据时比硬盘快得多,但比DRAM慢得多。

这就给我们带来了最新的新兴存储技术:相变存储器(PCM)及其首个商业产品3D XPoint。对于3D XPoint等PCM产品,通过电子翻转单个单元的电阻来处理从1到0的位写入。这使得它可能比NAND闪存快得多,接近DRAM的速度。但是PCM是非易失性的,就像flash一样。

对新兴内存技术感兴趣的一些人的目标是为存储和计算提供一种单一的内存类型,在这种内存类型中,系统上的任意数量的内存都可以用于任何目的。PCM等新技术有望在未来十年内实现这一目标。

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