多级单元（MLC）

企业MLC和消费者MLC有什么区别？

多级单元闪存是单级单元之间的中点(SLC)三能级电池(薄层色谱)闪存。NAND闪存具有有限的写入周期数。由于多级单元闪存通常比SLC便宜，因此它是消费类电子设备制造商首选的固态存储存储器。

企业多级单元(eMLC)驱动器采用增强型多级单元闪存设计，可容纳更多的写入周期。使用各种技术使eMLC能够用于设计廉价的企业固态驱动器(固态硬盘)这些技术包括提高不可恢复误码率的算法、闪存过度配置、磨损均衡和写放大. 这些技术中的大多数都是通过软件实现的。

消费级MLC闪存提供程序擦除3000到10000次写入的周期，而eMLC的耐久性级别为20000到30000。

多级电池闪存与单级电池闪存的比较

多级单元闪存的缺点之一是，与单级单元NAND闪存相比，其比特率更高。单元包含的比特越多，其可容纳的写入周期越少，发生错误的可能性越大。

单级单元闪存使用高级NAND存储器，每个单元存储1位，并且始终处于两种电压状态之一：已编程，表示为0，或已擦除，表示为1。只有两种状态意味着单级单元闪存中的数据能够快速解释数据并降低成本位错误然而，由于SLC闪存每个单元存储的数据位较少，因此它通常被认为是比多级单元闪存更昂贵的存储存储器形式。

多电平手机闪存的多电压状态潜力降低了其制造成本，并导致该技术在手机、数码相机、手持音乐播放器和USB闪存驱动器中的广泛使用。

MLC闪存卡通常传输速度较慢，耗电更多。多电平电池分为四种状态，由施加在电池上的电荷水平指定。MLC有两个州，MLC-3有八个州，MLC-4有16个州。

允许多个电气状态也会导致多电平单元闪烁的更高错误率。

达到写入限制后，NAND闪存单元将开始出现故障，这可能会损坏数据。为了弥补这一不足，供应商们试图通过设计更智能的解决方案来解决这一问题闪存控制器.

三级电池：消费级闪存的后续产品？

三级单元闪存突破了NAND闪存的界限。顾名思义，三层单元NAND在每个闪存介质中存储三位数据。三电平单元NAND利用了半导体处理几何图形以提供比平面NAND更高的密度。

三电平单元闪存的缺点源于解码信号所需的更高的错误校正串扰这是因为每个单元存储更多位。到目前为止，三层单元SSD作为一种企业级闪存技术只出现了有限的外观，主要用于大容量读取。Dell EMC SC系列混合阵列和Kaminario全闪存阵列是早期采用基于TLC NAND的SSD的供应商产品之一。

闪存供应商推动NAND的发展

领先的闪存供应商正在推动多级单元闪存的发展。三维NAND闪存内存是设计闪存芯片的一种较新架构。在3D NAND中，制造商以垂直布局堆叠多层存储单元。堆叠方法减少了当单元尺寸缩小时发生的电干扰。3D NAND闪存的主要生产商包括Intel Corp.（与Micron Technology合作）、三星、SK Hynix Inc.和与东芝合作的Western Digital Corp。东芝西部数字合作伙伴关系的未来尚不明朗，原因是与西部数字子公司SanDisk发生纠纷。SanDisk正在争取将东芝出售给由苹果公司、戴尔技术资本、金斯敦科技公司和希捷科技公司组成的财团。

三星已披露了基于64层3D NAND设计架构的四层电池闪存的初步设计。2017年7月，Western Digital预览了用于多级电池闪存的64层X4 NAND架构及其96层BiCS4垂直NAND技术。