测试您的QLC存储知识

四级单元闪光灯正在慢慢进入企业。虽然您可能认为作为最新一代的NAND闪存，但它会改善并更换以前的一代，这不是如何播放。QLC驱动器更有可能更换用于对象和批量存储的HDD，而不是SSD，以提高许多数据中心的性能。

QLC存储单元，每个单元格保持四位，是后续的下一步NAND前任：

• 三级小区（TLC）每个单元有三位;
• 多级单元（MLC）每种细胞两位;和
• 单级单元（SLC）每个单元一位。

增加每个细胞的每个渐进生成NAND的能力都有其优点。能力是主要福利：aQLC NAND小区可以存储比TLC，MLC或SLC单元更多的数据。按住更多数据的数据降低了每千兆字节的成本，这也具有明显的优势。然而，QLC存储的优势以价格为 - 最明显的性能和耐力。

随着NAND Flash的每个后续水平，读取，写入和擦除的延迟增加了，操作减慢，使驱动器对许多应用程序不太有用。随着每个新类型的NAND填充到细胞中的更多位，细胞可以处理更少的程序/擦除（P / E）循环并更快地磨损。随着每个成功的一代，NAND变得更多用例具体并且不太适用于一般和混合使用的工作负载。因此，我们仍然看到基于SLC的驱动器用于更多的写入密集型应用程序。

鉴于所有这一切，了解QLC闪存和其他类型的NAND之间的差异非常重要，并且这些差异在细节中。获取我们的测验，了解您是否具有您需要在右侧和正确的工作负载中使用QLC驱动器需要使用QLC驱动器。