内存

内存与存储

的记忆和存储的概念可以很容易地合并为相同的概念;然而，有一些明显而重要的差异。简而言之，记忆是主要记忆，存储是次要记忆。记忆是指短期数据的存放位置，存储是指长期数据的存放位置。

内存通常是指计算机上的主要存储，如RAM。记忆也是处理信息的地方。它使用户能够访问存储在短时间内的数据。由于主内存是易失的，所以数据只能存储很短的时间，这意味着当计算机关闭时，它不会被保留。

这个词存储指辅助存储器，是计算机中保存数据的地方。存储的一个例子是硬盘驱动器或硬盘驱动器(硬盘驱动器）.存储非易失性，意思是在电脑关机后，这些信息仍然存在。一个正在运行的程序在使用时可能在计算机的主存储器中——为了快速检索信息——但当该程序关闭时，它驻留在辅助存储器或存储器中。

内存和存储器中可用的空间大小也是不同的。一般来说，计算机的存储空间比内存大。例如，一台笔记本电脑可能有8个GB内存容量为250gb。空间上的差异在于，计算机不需要快速访问存储在它上面的所有信息，所以分配大约8gb的空间来运行程序就足够了。

条款内存和存储可能会令人困惑，因为它们现在的用法并不总是一致的。例如，RAM可以被称为主存储器，而辅助存储器的类型可以包括闪存。为了避免混淆，从内存是易失性的还是非易失性的角度来讨论内存更容易，从存储是主要的还是次要的角度来讨论存储更容易。

计算机内存是如何工作的?

当程序打开时，它会从辅助存储器装载到主存储器。因为有不同类型的内存和存储，一个例子可能是从固态硬盘(固态硬盘RAM。由于访问主存储器的速度更快，打开的程序就能以更快的速度与计算机处理器通信。主内存可以立即从临时内存插槽或其他存储位置访问。

内存是不稳定的，这意味着内存中的数据是临时存储的。一旦计算机设备关闭，存储在易失性存储器中的数据将自动删除。当一个文件被保存时，它将被发送到辅助存储器进行存储。

有多种类型的内存可供计算机使用。根据所使用的主存储器的类型，它的操作方式会有所不同，但一般来说，基于半导体的存储器与存储器联系最为紧密。半导体存储器将由集成电路和硅基金属氧化物半导体(MOS)制成晶体管．

计算机存储器类型

一般来说，存储器可分为主存储器和副存储器;此外，如果只讨论主内存，则有许多类型的内存。一些类型的主内存包括以下内容

• 高速缓冲存储器．这个临时存储区域，被称为缓存，对于处理器来说比计算机的主存储源更容易获得。它也被称为CPU内存因为它通常是直接集成到CPU芯片或放置在一个单独的芯片公共汽车与CPU对接。
• RAM。这个术语基于这样一个事实:处理器可以直接访问任何存储位置。
• 动态随机存取存储器。动态随机存取记忆体是一种半导体存储器，通常用于计算机处理器运行所需的数据或程序代码。
• 静态RAM。静态存储器只要有电源供应，数据位就会保留在内存中。与将比特存储在由电容器和晶体管组成的单元内的DRAM不同，SRAM不需要定期刷新。
• 双数据速率SDRAM。DDR SRAM是一种理论上可以将内存时钟速度提高到至少200的SDRAM兆赫．
• 双数据速率4同步动态RAM。DDR4 RAM是一种具有高带宽接口的DRAM，是之前DDR2和DDR3版本的继承者。DDR4 RAM允许更低的电压要求和更高的模块密度。它与更高的数据速率传输速度耦合，并允许双内联内存模块(dimm)高达64 GB。
• Rambus动态随机存取存储器。DRDRAM是一种承诺每秒传输16亿个字节的内存子系统。子系统由RAM、RAM控制器、连接RAM到微处理器的总线和使用它的计算机中的设备组成。
• 只读存储器。罗是一种包含非易失性、永久性数据的计算机存储器，通常只能读不能写。ROM包含一种程序设计，使计算机在每次开机时都能启动或重新生成。
• 可编程只读存储器。毕业舞会是用户可以修改一次的只读存储器。它使用户能够使用一种叫做舞会的程序员．
• 可擦写舞会。EPROM是一种可编程的只读存储器PROM，可以擦除和重复使用。擦除是由强烈的紫外线照射到内存芯片上的一个窗口造成的。
• 电可擦舞会。EEPROM是一种用户可修改的ROM，通过施加高于正常电压的条件，它可以重复地擦除和重编程。与EPROM芯片不同，EPROM不需要从计算机中删除即可进行修改。然而，EEPROM芯片必须全部擦除并重新编程，而不是选择性地。
• 虚拟内存．一种内存管理技术，在这种技术中，备用内存可以当作主内存的一部分来使用。虚拟内存使用硬件和软件，使计算机能够通过临时将数据从RAM转移到磁盘存储器来弥补物理内存的不足。

计算机存储器的历史和演变的时间表

在20世纪40年代早期，内存只有几个字节的空间可用。在这一时期，声学延迟线存储器的发明是进步的一个重要标志。这项技术使延迟线能够将比特作为声波储存在水银中，并将石英晶体作为声波传感器读和写位。这个过程可以存储几十万位元。20世纪40年代末，非易失性存储器开始被研究，磁芯存储器——它能在断电后回忆记忆——被发明出来。到了20世纪50年代，这项技术得到了改进和商业化，并导致了1956年PROM的发明。磁芯存储器变得非常普遍，直到20世纪60年代，它一直是存储器的主要形式。

金属氧化物半导体场效应晶体管，也被称为MOS半导体存储器，发明于1959年。这使得使用MOS晶体管作为存储单元的元件成为可能。与磁芯存储器相比，MOS存储器更便宜，所需的功率更少。使用双极晶体管的双极存储器在20世纪60年代初开始使用。

1961年，鲍勃·诺曼提出了在集成电路(IC)芯片上使用固态存储器的概念。IBM在1965年将内存引入主流。然而，用户发现与其他类型的内存相比，固态内存在当时使用起来太贵了。20世纪60年代早期到中期的其他进步包括双极SRAM的发明，东芝在1965年引入DRAM，以及在1965年SRAM的商业使用。1966年开发出了单晶体管DRAM单元，随后在1967年开发出了用于创建ROM的MOS半导体设备。从1968年到70年代初，n型MOS (NMOS)存储器也开始普及。

到20世纪70年代早期，基于mos的存储器开始作为一种存储器形式得到更广泛的应用。1970年，英特尔公司推出了第一个商用DRAM IC芯片。一年后，可擦PROM被开发出来，EEPROM在1972年被发明。