记忆和存储的区别是什么?

记忆是什么?

RAM是计算机中的存储硬件，用于保存操作系统、应用程序和数据以供处理。当计算机启动时，它将这些文件加载到RAM中，通常是从存储介质中。当计算机关闭或断电时，文件会返回到存储器中。

RAM的功能是作为计算机的短期存储器。它的读写速度比hdd、ssd和其他用于存储的驱动器快得多。计算机的中央处理器依靠内存快速获取运行所需的数据和应用程序。

主动记忆和存储之间的界限越来越接近，不仅仅是模糊，而是完全消失。

RAM由微芯片组合成存储模块组成。这些模块插入计算机的主板，并通过一个公共汽车．计算机上的RAM的数量通常比存储器的数量小。当计算机使用了它所有的空闲内存时，处理器必须将旧数据从RAM复制回存储器，并用新数据替换它。这个过程减慢了计算机的运行，但是大多数计算机都有额外的插槽来添加更多的RAM来解决这个问题。

计算机的主存储器通常由动态RAM (DRAM)模块组成。电脑也有用于高速数据处理的高速缓存存储器由性能比DRAM更快的静态RAM (SRAM)模块组成。高性能操作中经常使用的指令和数据被转移到高速缓存中，高速缓存比DRAM更接近CPU。处理器可以更快地访问指令和数据文件从SRAM比如果它们在主存。高速缓存比RAM快10到100倍。响应CPU请求只需要几纳秒。

计算机系统还包括只读存储器你可以在一个叫做ROM的进程中更新这种内存中的信息闪烁的，但是，它只能被计算机系统读取，而不能被写入。其他类型的存储器可以作为存储驱动器，从MP3和图片文件到演示文稿和其他数据。这些格式包括USB闪存驱动器、闪存卡或记忆棒。

存储的是什么?

如果计算机只有RAM，用户每次登录时都需要重新输入他们想要使用的所有数据和应用程序。存储允许计算机保存运行计算机和无限期启用应用程序所需的数据、应用程序、文档和其他材料，当断电或计算机重新启动时，存储会保留下来。计算机存储是指存储的数据以及用于捕获、管理和排序数据的硬件和软件。

计算机上的存储通常由存储设备组成，如SSD或HDD。hdd将数据存储在旋转磁碟上，ssd将数据存储在闪存芯片上。存储设备提供非易失性内存这样，即使在没有电源和电脑关机的情况下，它们也能保存数据。

一般来说，存储比RAM慢，hdd比基于闪存的ssd慢。与RAM不同，存储器不直接连接到CPU。连接存储器和CPU的接口也影响存储器的速度。SATA接口多年来一直是ssd和hdd的标准接口。在过去的十年里，随着NVMe技术的出现．NVMe针对NAND闪存进行了优化，使用PCIe接口连接闪存存储和CPU。NVMe驱动减少延迟，提供更高的IOPS。使用PCIe 3.0连接的硬盘的写速度比SATA硬盘快7倍以上。除了速度，基于nvme的ssd还提供了其他优势，包括可扩展的性能和能源效率。

随着闪存的价格固态硬盘的使用已经下降，固态硬盘已经成为首选的主要存储。然而，hdd仍然拥有价格优势，并将在二级存储方面保持强劲。基于带状磁记录、热辅助磁记录和微波辅助磁记录技术的大容量硬盘预计将在2020年或2021年上市，多驱动器驱动器的速度提升将有助于保持hdd的地位。

其他类型的外部存储器包括光存储器(用激光写入和读取数据)和磁带存储器。这些主要用于长期数据存储。光存储包括蓝光、CD-ROM和DVD光盘。

磁带是一种磁性存储器，它曾经是用于备份的最常见的存储器类型。与磁带相比，hdd甚至ssd由于其性能和易用性成为了备份的主要选择，但磁带由于其低成本、高容量和长期耐用性仍然流行于归档。

未来的记忆和存储是模糊的

活动记忆和存储之间的界限越来越近，不仅像分页一样模糊，而且完全消失。制造商在技术它承诺将RAM的速度与闪存的能力结合起来，成为非易失性存储器。

在这些技术中有铁电RAM和磁阻RAM，但最接近同时实现有源存储器和存储器目标的是相变存储器(PCM)。英特尔(Intel)和美光科技(Micron Technology Inc.)共同开发3 d XPoint技术填补DRAM和NAND闪存之间的性能差距。3 d XPoint基于PCM，采用无晶体管的交叉点架构，将选择器和存储单元放在垂直导线的交叉点上。

英特尔的Optane品牌在市场上有基于3D xpoint的ssd、内存和双内联内存模块卡。英特尔表示，其即将推出的第二代ssd的早期测试将维持平均约10微秒的读I/O延迟，负载至少800000 IOPS。在2019年,微米推出其首款3D XPoint SSD宣称比NAND快3倍，延迟低11倍，支持高达250万IOPS和9gbps读写带宽。