HPE内存驱动Flash针对人工智能和实时分析

一种新的记忆

的3 par系统提供基于闪存优化架构的一级存储，提供高性能和可用性，同时可从几个tb扩展到超过26pb。该系统配有数据压缩和重复数据删除软件。它整合了HPE InfoSight，一种使用人工智能和机器学习来帮助预测和预防存储问题的预测分析工具。HPE提供了一系列型号和配置的3PAR系统，支持全闪存阵列、聚合闪存阵列和扩展DRAM缓存的分层存储阵列。

的灵活的存储系统包括全闪存和混合SAN阵列，也使用InfoSight预测分析，以确保高可用性和快速、可靠的访问。阵列使用三重奇偶校验RAID来防止多个驱动器故障，以及驱动器内奇偶校验来提供额外的保护。IT可以在数据中心和云环境中部署Nimble系统，并在实现后进行配置和管理。灵活的存储也随之而来HPE Cloud Volumes存储服务，支持混合环境．

HPE正在将内存驱动的Flash集成到3PAR和Nimble系统中，以满足金融服务和电子商务行业中企业人工智能、机器学习、实时分析和交易处理工作负载的高性能需求。例如，一些人工智能和机器学习应用程序必须评估大量不断变化的数据，这对存储系统产生了极端的I/O需求。

在处理此类工作负载时，现有的内存和存储技术存在局限性。DRAM速度快、效率高，但价格昂贵、难以扩展，而且无法持久存储数据。另一方面，NAND可以持久化数据并支持大数据量，而且它的价格也在下降，但它的速度和效率远不如DRAM。

比NAND更快，但密度更大，成本更低

通过将单片机技术整合到存储基础设施中，HPE内存驱动闪存解决了DRAM和NAND的一些限制。单片机技术缩小了存储器和存储器之间的差距，在性能、容量和成本之间取得了平衡。内存驱动的闪存提供了一种混合方法，类似于在混合存储系统中使用闪存缓存数据的方法，该存储系统同时包含闪存和旋转磁盘。

使用单片机显著提高了性能，同时仍然提供高容量，但没有DRAM的高昂价格。

根据HPE的说法，内存驱动的Flash比standard-NAND数组它的性能接近DRAM，但成本更低，密度更高。此外，与标准的NAND阵列相比，在更高的工作负载密度下，SCM响应时间更可预测和一致，而且在耗尽之前，SCM驱动器可以交付10倍的写周期。

HPE一直在与英特尔合作，为其3PAR和Nimble系统提出共享存储方法，将SCM技术集成到其驱动器中。结果是HPE内存驱动闪存驱动器，使用NAND闪存持久存储和英特尔Optane存储卡缓存频繁访问的数据和元数据。基于3D XPoint技术的存储卡安装在存储控制器上，作为持久存储和服务器内存之间的缓冲区。

Optane卡比闪存更快、更高效，使其成为一个高效的数据缓存。它还有助于减少闪存驱动器带来的一些开销，例如垃圾收集以及支持块级写入的后台进程。因此，HPE内存驱动的Flash可以提供更低的读访问时间，改进的性能和更大的耐久性。

HPE内存驱动的Flash存储是可能的，部分原因是NVMe和扩展NVMe-oF，业界设计它是为了充分利用SSD的功能。NVMe比旧的SCSI和SATA接口更快、更精简。它还设计用于并发性、并行性和可伸缩性，这些特性是支持SCM驱动器和使用它们的应用程序所必需的。

拥有现有HPE阵列或购买它们的组织可以升级他们的系统，以适应内存驱动的闪存，而无需更换设备或遭受中断。

SCM的未来

惠普并不是唯一采用SCM技术的供应商。戴尔EMC的更新PowerMaxflash数组合并了NVMe和SCM支持通过光纤通道网络跨NVMe的高性能工作负载。PowerMax系统包括一个实时机器学习引擎，可以在不产生额外管理开销的情况下优化NVMe和SCM性能。

虽然这个行业还很年轻，但也有传言说其他供应商也在研究SCM技术。然而，人们对SCM的兴趣正在增长，随着IBM、HPE和Dell EMC等供应商的投资，该技术肯定会得到改善和扩大，甚至可能会降低价格。