隧道喷射
隧道注入，也称为福勒-诺德海姆隧道注入，是数据写入的过程NAND闪存．
福勒-诺德海姆隧穿是指电子在高电场存在时穿过势垒。在NAND闪存介质上进行写操作时，电子穿过薄层介电材料改变a的电子电荷浮置栅极与记忆细胞有关的。记忆细胞的位状态取决于浮门是否带电或不带电。当电子出现在浮栅上时，位态为0。当电子从浮动栅极移出时，位态为1。
从NAND闪存中擦除数据的过程被称为福勒-诺德海姆隧道释放。
这是最近更新的2012年1月
隧道注入，也称为福勒-诺德海姆隧道注入，是数据写入的过程NAND闪存．
福勒-诺德海姆隧穿是指电子在高电场存在时穿过势垒。在NAND闪存介质上进行写操作时，电子穿过薄层介电材料改变a的电子电荷浮置栅极与记忆细胞有关的。记忆细胞的位状态取决于浮门是否带电或不带电。当电子出现在浮栅上时，位态为0。当电子从浮动栅极移出时，位态为1。
从NAND闪存中擦除数据的过程被称为福勒-诺德海姆隧道释放。
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